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IT之家 6 月 12 日消息，東京電子（TEL）近日宣布，已開發(fā)出一種用于存儲芯片的通孔蝕刻技術，可用于制造 400 層以上堆疊的 3D NAND 閃存芯片。TEL 表示，該技術首次將電蝕刻應用帶入到低溫范圍中，并創(chuàng)造性地發(fā)明了具有極高蝕刻速率的系統(tǒng)。

▲ 圖源 東京電子

具體而言，這項新技術可以在短短 33 分鐘內完成 10 微米深度的高縱橫比（IT之家備注：縱橫比是指晶圓上形成圖案的深度與寬度之比）蝕刻，與此前的技術相比耗時大幅縮短。TEL 介紹，該技術的應用不僅有助于制造更高容量的 3D NAND，還能夠將生產工藝中給全球變暖造成的風險減少 84%。

▲ 圖源 東京電子

TEL 預告，研發(fā)團隊將于 6 月 11 日-16 日在日本京都舉行的 2023 年超大規(guī)模集成電路技術和工藝研討會上發(fā)布最新成果和報告。

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