(相關(guān)資料圖)

IT之家 12 月 2 日消息，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體近期發(fā)布了“8 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底”新產(chǎn)品。該公司介紹了“8 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底”新產(chǎn)品各項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)指標(biāo)，并宣布將于 2023 年實(shí)現(xiàn) 8 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底小規(guī)模量產(chǎn)。

IT之家了解到，2021 年徐州天科合達(dá)生產(chǎn)基地 6 英寸系列產(chǎn)品產(chǎn)能達(dá)全國(guó)首位，目前北京大興總部基地 6 英寸產(chǎn)能正持續(xù)突破。

天科合達(dá)是國(guó)內(nèi)碳化硅襯底領(lǐng)域龍頭企業(yè)，一直持續(xù)突破更大尺寸、更高質(zhì)量碳化硅襯底制備的關(guān)鍵核心技術(shù)。

各項(xiàng)指標(biāo)公布如下：

（1）8 英寸碳化硅晶體 (直徑可達(dá) 209mm) 及晶片外觀圖

（2）拉曼光譜測(cè)試數(shù)據(jù)表明，8 英寸碳化硅襯底 100% 面積為 4H 晶型

（3）XRD 三點(diǎn)搖擺曲線數(shù)據(jù)顯示，半高寬小于 20 arcsec

（4）位錯(cuò)缺陷密度測(cè)試結(jié)果顯示，EPD＜4000 個(gè)每平方厘米，TSD＜100 個(gè)每平方厘米，BPD＜200 個(gè)每平方厘米，位錯(cuò)密度整體處于國(guó)際領(lǐng)先水平

標(biāo)簽： 每平方厘米 總部基地