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環(huán)球熱點評!我國早期半導體硅材料奠基人梁駿吾逝世,享年 89 歲


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IT之家 6 月 24 日消息,中國科學院半導體研究所 6 月 23 日發(fā)布訃告,中國工程院院士、中國科學院半導體研究所研究員、我國著名半導體材料學家梁駿吾先生因病醫(yī)治無效,不幸于 2022 年 6 月 23 日 17 時在北京逝世,享年 89 歲。

IT之家了解到,中國科學院半導體研究所在《梁駿吾院士生平》中寫道:

中國工程院院士、中國科學院半導體研究所研究員、我國著名半導體材料學家、我國早期半導體硅材料的奠基人梁駿吾先生因病醫(yī)治無效,不幸于 2022 年 6 月 23 日 17 時在北京逝世,享年 89 歲。半導體研究所和半導體材料科學領(lǐng)域為失去這樣一位學科泰斗,扼腕痛惜;梁氏家族為失去這樣一位摯愛親人,無限悲痛;學生弟子,為失去這樣一位良師,深切哀悼。

梁駿吾院士,1933 年 9 月 18 日生于湖北武漢。1955 年畢業(yè)于武漢大學物理專業(yè),1956 年至 1960 年就讀于前蘇聯(lián)科學院莫斯科巴依可夫冶金研究所并獲得副博士學位,同年到中國科學院半導體研究所工作至今。60 多年來,他為我國半導體材料領(lǐng)域的學科建設、技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)振興以及人才培養(yǎng)作出了重要貢獻。梁駿吾院士先后榮獲國家科委科技成果二等獎和新產(chǎn)品二等獎各 1 次,國家科技進步三等獎 1 次、中科院重大成果和科技進步一等獎 3 次、二等獎 4 次,上海市科技進步二等獎 1 次等各種科技獎共 20 余次。1997 年當選中國工程院院士。

梁駿吾院士在半導體材料科學領(lǐng)域辛勤耕耘、造詣頗深,并取得了一系列重要科研成果。上世紀 60 年代解決了高純區(qū)熔硅的關(guān)鍵技術(shù)。1964 年制備出室溫激光器用 GaAs 液相外延材料。1979 年研制成功為大規(guī)模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優(yōu)質(zhì)硅區(qū)熔單晶。80 年代首創(chuàng)了摻氮中子嬗變硅單晶,解決了硅片的完整性和均勻性的問題。90 年代初研究 MOCVD 生長超晶格量子阱材料,在晶體完整性、電學性能和超晶格結(jié)構(gòu)控制方面,將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。主持“七五”、“八五”重點硅外延攻關(guān),完成了微機控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設備的研究。他還在太陽電池用多晶硅的研究和產(chǎn)業(yè)化等方面發(fā)揮著積極作用。

標簽: 中國科學院 半導體材料

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