(相關(guān)資料圖)

IT之家 7 月 27 日消息，昨晚，美光公司宣布全球首款 232 層 NAND 已在該公司的新加坡工廠量產(chǎn)，初期將以封裝顆粒形式通過(guò) Crucial 英睿達(dá) SSD 消費(fèi)產(chǎn)品線向客戶發(fā)貨。

現(xiàn)在，美光發(fā)文介紹了 232 層 NAND 的相關(guān)技術(shù)。

官方表示，該技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到了現(xiàn)今業(yè)界最快的 NAND I / O 速度：2.4 GB / s，比美光 176 層制程節(jié)點(diǎn)所提供最高速的介面數(shù)據(jù)傳輸速度快 50%。與前一代產(chǎn)品相比，美光 232 層 NAND 的每晶粒寫入頻寬提高 100%，讀取頻寬亦增加超過(guò) 75%。

此外，美光 232 層 NAND 引進(jìn)全球首款六平面（6-Plane） TLC 生產(chǎn)型 NAND，是所有 TLC 閃存中每晶粒擁有最多平面的產(chǎn)品，且每個(gè)平面都有獨(dú)立的讀取能力。

232 層 NAND 的精巧外形不僅賦予客戶在設(shè)計(jì)上的彈性，也實(shí)現(xiàn)了有史以來(lái)最高的 TLC 密度（14.6 Gb / mm2），其單位儲(chǔ)存密度較目前市場(chǎng)上的 TLC 競(jìng)品相比高出 35% 至 100%。232 層 NAND 并采用比美光前幾代產(chǎn)品小 28% 的新封裝尺寸，11.5mm x 13.5mm 的封裝使其成為目前最小的高密度 NAND，在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的容量也有助于大幅降低應(yīng)用時(shí)所占據(jù)的主板空間。

美光的 232 層 NAND 也是首款在生產(chǎn)中支援 NV-LPDDR4 的產(chǎn)品，此低電壓介面與過(guò)去的 I / O 介面相比可節(jié)省每位元傳輸逾 30%。

美光表示，232 層 NAND 突破性功能將助客戶在資料中心、更輕薄的筆記型電腦、最新的移動(dòng)裝置和整個(gè)智慧邊緣領(lǐng)域提供更多創(chuàng)新解決方案。

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