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世界觀察:長鑫存儲公開“半導體光刻補償方法”專利


(資料圖片僅供參考)

IT之家 7 月 2 日消息,近日長鑫存儲技術有限公司公開多項專利,其中一條名稱為“半導體光刻補償方法”,公開號為 CN114675505A。

專利摘要顯示,本申請實施例屬于半導體制造技術領域,具體涉及一種半導體光刻補償方法,包括:通過機臺組合對晶圓進行光刻,機臺組合至少包括第一機臺和第二機臺;通過第一機臺進行光刻得到第一曝光結構;獲取第一曝光結構的套刻誤差的第一測量值;根據第一測量值對第二機臺的初始下貨值進行補償。在進行半導體結構的制作過程中,可以通過測量第一機臺加工形成的第一曝光結構的套刻誤差,將第一測量值對第二機臺的初始下貨值進行補償,以便得到第二機臺的最優(yōu)下貨值,后續(xù)第二機臺進行光刻時,第二機臺根據其最優(yōu)下貨值進行光刻加工,有利于保證后續(xù)第二機臺加工形成的曝光結構的套刻誤差準確性,從而減少重工次數。

據官網資料,長鑫存儲技術有限公司的事業(yè) 2016 年在安徽合肥啟動。公司目前已建成第一座 12 英寸晶圓廠并投產,是規(guī)模最大、技術最先進的中國大陸 DRAM 設計制造一體化企業(yè)。

標簽: 補償方法

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