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IT之家 7 月 2 日消息，近日長鑫存儲技術有限公司公開多項專利，其中一條名稱為“半導體光刻補償方法”，公開號為 CN114675505A。

專利摘要顯示，本申請實施例屬于半導體制造技術領域，具體涉及一種半導體光刻補償方法，包括：通過機臺組合對晶圓進行光刻，機臺組合至少包括第一機臺和第二機臺；通過第一機臺進行光刻得到第一曝光結構；獲取第一曝光結構的套刻誤差的第一測量值；根據第一測量值對第二機臺的初始下貨值進行補償。在進行半導體結構的制作過程中，可以通過測量第一機臺加工形成的第一曝光結構的套刻誤差，將第一測量值對第二機臺的初始下貨值進行補償，以便得到第二機臺的最優(yōu)下貨值，后續(xù)第二機臺進行光刻時，第二機臺根據其最優(yōu)下貨值進行光刻加工，有利于保證后續(xù)第二機臺加工形成的曝光結構的套刻誤差準確性，從而減少重工次數。

據官網資料，長鑫存儲技術有限公司的事業(yè) 2016 年在安徽合肥啟動。公司目前已建成第一座 12 英寸晶圓廠并投產，是規(guī)模最大、技術最先進的中國大陸 DRAM 設計制造一體化企業(yè)。

標簽： 補償方法