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IT之家 7 月 28 日消息，據(jù)浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心發(fā)布，近日浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室和浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在浙江省“尖兵計(jì)劃”等研發(fā)項(xiàng)目的資助下，成功生長(zhǎng)出厚度達(dá)到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。該重要進(jìn)展意味著，碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展或?qū)⒂瓉?lái)發(fā)展新契機(jī)。

據(jù)介紹，碳化硅（SiC）單晶作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，對(duì)高壓、高頻、高溫及高功率等半導(dǎo)體器件的發(fā)展至關(guān)重要。目前，國(guó)內(nèi)碳化硅單晶的直徑已經(jīng)普遍能達(dá)到 6 英寸，但其厚度通常在~20-30 mm 之間，導(dǎo)致一個(gè)碳化硅晶錠切片所獲得的碳化硅襯底片的數(shù)量相當(dāng)有限。

科研人員表示，增加碳化硅單晶厚度主要挑戰(zhàn)在于其生長(zhǎng)時(shí)厚度的增加及源粉的消耗對(duì)生長(zhǎng)室內(nèi)部熱場(chǎng)的改變。針對(duì)挑戰(zhàn)，浙江大學(xué)通過(guò)設(shè)計(jì)碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備的新型熱場(chǎng)、發(fā)展碳化硅源粉的新技術(shù)、開(kāi)發(fā)碳化硅單晶生長(zhǎng)的新工藝，顯著提升了碳化硅單晶的生長(zhǎng)速率，成功生長(zhǎng)出了厚度達(dá)到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。而且碳化硅單晶的晶體質(zhì)量達(dá)到了業(yè)界水平。

標(biāo)簽： 浙江大學(xué) 單晶生長(zhǎng)