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4月18日消息，據(jù)日本市調(diào)機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)（Fuji Keizai）公布的調(diào)查報(bào)告指出，因汽車電動(dòng)化需求、加上太陽能發(fā)電等再生能源普及，帶動(dòng)2023年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模（包含硅制產(chǎn)品和碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等次世代功率半導(dǎo)體）預(yù)估將年增12.5%至30186億日元。

且之后市場規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)大，預(yù)估2035年將擴(kuò)增至134302億日元，將較2022年暴增約400%。

其中，2023年硅制功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)估將年增11.0%至27833億日元，2035年預(yù)估將擴(kuò)大至79817億日元，將較2022年增加2.2倍；

2023年SiC等第三代功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)估將年增34.5%至2354億日元，之后市場規(guī)模將呈現(xiàn)急速擴(kuò)大，預(yù)估2035年將達(dá)54485億日元，將較2022年狂飆30.1倍。

就第三代功率半導(dǎo)體市場來看，因中國大陸、歐洲廠商加速采用，帶動(dòng)2023年SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模（包含SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組）預(yù)估將年增34.3%至2293億日元，之后隨著車輛電動(dòng)化、再生能源普及，帶動(dòng)市場有望呈現(xiàn)急速增長，2035年預(yù)估將擴(kuò)大至53300億日?qǐng)A，將較2022年狂飆30.2倍；

2023年GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)估將年增32.6%至57億日元，2035年預(yù)估將擴(kuò)大至740億日元，將較2022年暴增16.2倍；2023年氧化鎵功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)估為4億日元、2030年有望擴(kuò)大至445億日元。

不過在今年3月份的特斯拉投資日活動(dòng)上，馬斯克表示其下一代永磁電機(jī)將完全不使用稀土材料，并減少75%的碳化硅用量。

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